退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

殷景华; 蔡伟; 王培林; 郑玉峰; 王中; 李美成; 赵连城

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退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

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采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→Si.退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙.

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来源
《功能材料》 |2001年第5期|504-505|共2页
作者
殷景华; 蔡伟; 王培林; 郑玉峰; 王中; 李美成; 赵连城;
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作者单位

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学材料;
关键词
退火温度; PrSi/Si异质结; 硅化物; 薄膜; 表面形貌;

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