正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响

摘要

ZAlSi12因为含Si量高，其微弧氧化过程不同于其它铸造铝合金。铸铝合金中si的存在不利于在其表面进行微弧氧化。因此，研究正向电压、氧化时间对ZAlSi12微孤氧化陶瓷层特性的影响规律，对于获得良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了不同的正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层厚度的影响规律，并对膜层进行了磨损试验。采用XRD分析陶瓷层的相组成。研究结果显示，电压为440V／120V时，陶瓷层性能最佳，膜层厚度达169μm。氧化时间为0～48min时，膜层生长速度快，超过48min后，生长缓慢。因此，适宜的氧化时间为48min。