金/硅纳米孔柱阵列的场发射

摘要

利用浸溃技术在硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))上制备了复合纳米薄膜Au/Si-NPA.测试了其场发射性能.测试结果显示,Au/Si-NPA的开启电场为约2V/μm;在7.59V/μm的外加电场下,其发射电流密度为67μA/cm2;在外加电压2000V时,其电流浮动率为21%.导致Au/Si-NPA优良的发射性能是由于其独特的表面形貌和结构所致.