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Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的制备及性能研究

         

摘要

采用真空共蒸发法制备了Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜,研究了Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性.XRD的结果表明,0<x≤0.9,Cd_(1-x)Zn_xS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Vegard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜的电导激活能.

著录项

  • 来源
    《功能材料》 |2010年第2期|235-237|共3页
  • 作者单位

    四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

    四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

    四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

    四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

    四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

    四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

    四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

    四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

    四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN304.055;
  • 关键词

    Cd_(1-x)Zn_xS; 多晶薄膜; 共蒸发; 光学能隙; 电导激活能;

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