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潘孝仁; 庞瑞帆; 罗晓;
华东化工学院物理系;
快离子导体; 钠离子; 沉积; 功函数;
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:等离子体增强化学气相沉积法沉积非晶SIC薄膜中氢和氩稀释效应的比较研究
机译:将氟掺入通过等离子体化学气相沉积法沉积的非晶氢化碳膜中:通过X射线光电子能谱和拉曼光谱研究的结构修饰
机译:硅纳米晶和非晶硅的微波等离子体CVD作为沉积条件的函数
机译:微波等离子体电子回旋共振化学气相沉积法沉积的纳米晶和非晶硅薄膜晶体管:材料分析,器件制造和表征。
机译:脉冲等离子体化学气相沉积法制备纳米多孔非晶碳化硼薄膜的摩擦学和热稳定性研究
机译:通过杂质掺入对等离子体沉积非晶半导体合金的光电行为的修改
机译:通过杂质掺入等离子体沉积非晶半导体合金的光电行为的改进
机译:掺杂非晶非晶硅功函数控制层的MOS栅电极
机译:检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。
机译:半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)
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