基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模

摘要

通过工艺仿真软件S-Tsuprem4对CMOS中常用的硅局部场氧化(local oxidation silicon,LOCOS)技术所生成的"鸟嘴"图形进行了仿真,提出了一种形状模型。随后利用最小二乘拟合法得到相对应的参数,拟合误差为7e-4,并最后以分段函数的方式给出了模型的表达式。该模型可以使"鸟嘴"结构更加方便应用于半导体器件的数值仿真和设计。