非晶SiO2纳米线的合成及其显微结构和光学性质的研究

摘要

本研究以硅片为衬底,热蒸发一氧化硅粉末在较低温度下合成了大量直径均匀的非晶SiO2纳米线.这些纳米线直径分布在15 nm～40 nm之间,长度几十微米.选区电子衍射(SAED)、能谱(EDS)、电子能量损失谱(EELS)分析结果表明这些纳米线为非晶SiO2纳米线.光致发光(PL)谱测试结果显示纳米线在波长550 nm处存在一个较强的PL峰.本文进一步指出了蒸发源SiO粉末的颗粒度和蒸发温度对纳米线生长有强烈的影响.