热蒸发法制备ZnO纳米棒阵列

摘要

氩气氛常压下,利用热蒸发法,在无催化剂、无ZnO预沉积层的硅衬底上制备了取向良好,排列整齐的ZnO纳米棒阵列.在距Zn源不同位置的Si衬底上得到了不同形貌的样品.硅衬底置于锌源正上方是得到取向一致的znO纳米阵列的一个关键性条件.用场发射扫描电子显微镜、X射线粉末衍射表征样品表面形貌、晶体结构.进一步研究了样品的生长机制和荧光性质.