使用硫化物纳米前驱物墨水法制备铜铟硫薄膜

摘要

提出了一种通过反应烧结来制备CuInS2多晶薄膜的低成本旋涂工艺路线．通过将前驱物粉末在氧气中预还原的方法来优化旋涂时使用的墨水成分，氧气还原会使前驱物纳米粉末从硫化物混合粉末转变成CuInS2和Cu—In合金的混合物．扫描电子显微镜、电子能谱、X射线衍射以及拉曼图谱的结果表明，这种优化能极大的提高CuInS2多晶薄膜的性能，其中包括薄膜的排列密度更高，杂质相减少，薄膜质量变得更好等．吸收光谱测得优化后的铜铟硫薄膜的带隙约为1．45eV．