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李志兵; 韩平; 王荣华; 秦臻; 韩甜甜;
南京大学,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093;
Ge1-xCx合金薄膜; 化学气相淀积; 拉曼光谱;
机译:使用六甲基二硅烷单源前驱体通过APCVD在Si(100)衬底上异质外延生长单3C-SiC薄膜
机译:在没有衬底加热的情况下通过等离子CVD在Ge(100)上外延生长的高应变Si上热CVD B掺杂Si膜的电学特性
机译:在Si和Ge(100)衬底上通过低温RF-PECVD外延生长的弛豫薄膜锗层的结构特性
机译:通过低能量ECR Ar等离子CVD在没有衬底加热的情况下在Si(100)上外延生长B掺杂的Si和Ge薄膜
机译:超音速分子束在Si(100)上外延生长β-SiC。
机译:GaAs上的低温等离子体增强了CVD的硅外延生长:III-V / Si集成的新范例
机译:Si和Ge(100)衬底上通过低温RF-PECVD外延生长的弛豫薄膜锗层的结构特性
机译:CoGe2合金薄膜在Gaas(100)上异质外延生长的纹理分析 - 元素离子束沉积
机译:通过UHV-CVD在Si上外延生长Si1-x-yGexCy和Si1-yCy合金层
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