Mg2+的掺杂对YF3:Er3+,Yb3+材料上转换发光的影响

摘要

采用高温固相法制备Mg2+掺杂YF3:Er3+,Yb3+材料,以增大其在激光防伪领域的发射强度.通过980 nm半导体激光器激发的上转换发射光谱,可知Mg2+含量为1.0mol％时,其548 nm绿光和660 nm红光强度分别是未掺杂Mg2+样品的1.5倍和1.4倍.Mg2+的掺杂使得晶格产生收缩,降低Er3+和Yb3+周围晶体场对称性,增大4f-4f跃迁几率.并通过X射线衍射(XRD)探讨Mg2+含量对晶相的影响.通过差热分析(DTA)、发射光谱、XRD、扫描电子显微镜(SEM),对于Mg2+含量均为1.0mol％但不同烧结温度的样品,合成温度为940℃时光强、结晶度、晶粒生长较好.通过荧光寿命曲线以及发射强度与激发电流的拟合结果,探讨548 nm绿光和660 nm红光的发光机理,并分析980 nm激发YF3:Er3+,Yb3+材料的能级跃迁过程.