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罗益民; 陈振华; 黄培云;
中南大学,物理科学与技术学院,湖南,长沙,410083;
湖南大学,材料科学学院,湖南,长沙,410082;
中南大学,粉末冶金研究院,湖南,长沙,410083;
离子注入; 快速热退火; 温度;
机译:使用大剂量H〜+离子注入绝缘体上硅层并随后进行快速热退火来形成纳米晶硅膜
机译:快速热退火后进行砷离子,硼离子和硅离子注入的Si0.99C0.01薄膜的TEM观察
机译:快速热退火后低剂量砷离子注入硅的室温光致发光特性
机译:快速热退火后离子注入硅的光致发光研究
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:碳化硅基体中硅纳米晶的快速热退火和结晶机理研究
机译:快速热退火过程中硼离子注入硅的分步方法
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:多晶硅棒的表面温度计算方法和控制方法生产多晶硅棒多晶硅棒和多晶硅锭的方法
机译:多晶硅棒的表面温度计算方法和控制方法,多晶硅棒的生产方法,多晶硅棒和多晶硅锭
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