边缺陷诱导的双层锯齿型石墨烯纳米带能隙

摘要

双层锯齿型石墨烯纳米带无能隙,不利于设计石墨烯场效应晶体管,边界线缺陷可打开能隙,使双边占据格点波函数变为单边占据,为设计双层石墨烯纳米器件提供理论支持.本文利用紧束缚模型,计算了双层锯齿型石墨烯纳米带能谱和格点波函数.数值计算表明,边界线缺陷层间跃迁可打开AA堆叠能隙,边界线缺陷占位能可打开AB堆叠能隙.双层锯齿型石墨烯纳米带的弱局域化行为与单层不同,缺陷占位能和层间跃迁可分别使双边占据的波函数变为单边占据,适当的缺陷占位能可使电子在上层(或下层)呈现优势占据.利用非平衡格林函数方法,研究了两端口有限尺寸双层锯齿型石墨烯纳米带的电子输运,计算了有边界线缺陷时体系的局域态密度和透射概率.