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卢武星; 钱亚宏; 卢殿通; 王忠烈;
北京师范大学低能核物理研究所;
山东大学物理系 北京师范大学低能所;
高能注入; 双重注入; 增强退火; 快速白光退火; MOS结构;
机译:MeV Si离子注入形成的KOTiPO 4 sub>平面和脊形波导的热退火特性
机译:MeV离子注入n型外延Si中突出点缺陷的形成和退火行为
机译:MeV Si自离子注入Si中形成的空位团簇的高热稳定性
机译:MeV离子注入和退火后,Si中剩余的缺陷远离核能沉积曲线的峰值
机译:具有计算效率的模型对MeV离子注入的蒙特卡洛模拟。
机译:等离子体浸入He +离子注入和后续热退火后的Si表面层的微观结构
机译:高能量(100 meV)28si和120sn离子注入Gaas的电学特性
机译:通过meV离子注入和退火在熔融二氧化硅中形成胶体au纳米团簇。
机译:使用高注入表面光电压对经受高能(MEV)离子注入的半导体衬底进行无源光学表征的方法和设备
机译:通过离子注入和热退火在SI或绝缘体上硅衬底上释放的SIGE层
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