Ho掺杂对Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_(3)基陶瓷介电性能的影响

摘要

目的通过Ho掺杂提高Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_(3)(BZT)基Y5V型陶瓷的介电性能。方法采用Sol-gel一步法研究Ho掺杂对BZT基Y5V型纳米粉体及陶瓷微观形貌及介电性能的影响规律。结果当Ho含量为0.10 mol%时,陶瓷最大介电常数为19943,容温变化率(TCC)符合Y5V标准。结论随Ho含量的增加,BZT陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里峰展宽,最大介电常数先增大后减小。因此,通过匹配的元素对材料进行掺杂改性,同时辅以优化的制备工艺可以实现陶瓷介电性能的有效提升。