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高君华; 郑瑞伦;
重庆文理学院电子信息与电气工程学院重庆市高校新型储能器件及应用工程研究中心 重庆402160;
黑龙江大学电子工程学院 哈尔滨150080;
金属基外延石墨烯; 空位缺陷; 态密度; 电导率;
机译:关于在金属和半导体衬底上形成的外延石墨烯的状态密度的特定特征
机译:在尺寸量化的金属膜表面上形成的外延石墨烯的电子态密度缺口
机译:在尺寸量化的金属膜表面上形成的外延石墨烯的状态密度的间隙
机译:杂交石墨烯 - 氮化硼扶手臂纳米波基的N-MOSFET空位缺陷分析
机译:欧姆金属和氧化物沉积对碳化硅衬底上多层外延石墨烯的结构和电性能的影响。
机译:SiC衬底上生长的外延石墨烯的多维表征Landau能级和态密度
机译:高对称晶格位置杂质对局部杂质的影响 石墨烯的状态密度和电导率
机译:纵向磁场作用下金属基复合材料在低温下的纵向电导率。第1部分:线性化Boltzmann方程的解。第2部分。溶液在金属基复合材料中的应用,
机译:石墨烯-氧化铁复合材料及其制造方法可轻松控制石墨烯-氧化铁复合材料的比表面积,电导率和重金属消除能力
机译:用石墨烯,氧化石墨烯,金属氧化物或金属氮化物生产金属基纳米复合材料的方法
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