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赵佳佳; 顾芳; 李敏; 张加宏;
南京信息工程大学物理与光电工程学院;
南京 210044;
南京信息工程大学江苏省大气环境与装备技术协同创新中心;
硅锗异质结构; 纳米线; 硅锗组分; 应变; 电子结构; 光学性质;
机译:从裸锗纳米线到锗/硅核/壳纳米线:第一性原理研究
机译:轴向硅锗纳米线异质结的结构和光学性质
机译:不同截面的GaN纳米线的电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:La-Ce掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:用第一性原理研究BiOI /金红石-TiO2异质结的结构电学和光学性质
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用
机译:硅锗基极和具有硅锗基极的异质结双极晶体管
机译:具有自对准硅锗锗外基的异质结双极晶体管的结构和方法
机译:使用二氧化硅回蚀的自对准非选择性薄外延薄锗基硅锗(SiGe)异质结双极晶体管BicMOS工艺
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