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耿振铎; 朱遵略; 徐国亮;
河南师范大学物理与信息工程学院,新乡,453007;
密度泛函理论(DFT); 分子结构; 离解极限; 势能函数;
机译:纤锌矿结构系统AlN-GaN,GaN-InN和AlN-InN的第一原理相图计算
机译:对AlN / GaN,InN / GaN和InN / AlN超晶格的电子结构的有序影响
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:AlN近带边缘结构的应变和组成调节ALN及其三元合金与Gan and Inn
机译:等离子体辅助分子束外延的Inn / GaN多量子孔的生长和行为
机译:III-氮化物多晶型物的第一原理研究:PMN21相中的ALN / GAN / INN
机译:纤锌矿结构系统AlN–GaN,GaN–InN和AlN–InN的第一原理相图计算
机译:GaN,alN和InN半导体的研究:结构,光学,电子和界面特性
机译:立方和六方InN薄膜及其与AlN和GaN合金的外延生长
机译:金属有机化学气相沉积法,高质量N面GaN,InN和AlN及其合金的异质外延生长方法
机译:用于光电应用的晶圆键合方法(AlN,InN,GaN,AlInN,AlGaN,InGaN或AlInGaN)和(ZnS,ZnSe或ZnSSe)
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