2~6 GHz高谐波抑制低噪声放大器芯片研究与设计

摘要

提出了一种具有高谐波抑制比的低噪声放大器芯片拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于砷化镓pHEMT单片工艺的宽带低噪声放大器芯片,覆盖频段2~6 GHz,相对带宽达到100%。在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的增益典型值为25 dB,噪声系数5.5 dB,输出压缩1 dB功率为7 dBm,二次谐波抑制比达到35 dBc,与常规宽带低噪声放大器芯片相比,二次谐波抑制比提高了约15 dB。芯片面积2.6×2.2 mm^(2)。该低噪声放大器芯片可广泛应用于通信系统中,用于信号的接收放大,同时具有良好的谐波抑制能力,有助于提高通信系统的集成度。