首页> 中文期刊> 《红外》 >用于CMOS成像仪的锗红外传感器

用于CMOS成像仪的锗红外传感器

         

摘要

锗具有较高的红外吸收系数,不过,当通过将锗直接沉积在硅上的办法制作锗光电探测器时,由于锗与硅的晶格失配率为4%,光电探测器会具有较大的暗电流。为了解决这个问题,最近几年人们做了大量工作。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号