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HgCdTe,InGaAs和量子阱GaAs/AlGaAs凝视红外焦平面列阵的性能(下)

         

摘要

4.混成焦平面列阵性能的比较对于焦平面列阵技术的比较工作来说,探测率和操作温度是关键的一级判别因子。图5所示为热探测率(300 K)随温度的变化曲线。这种热探测率是通过把一个具有给定D~*的理想热探测器的NE△T同一个具有给定D~*(λ_p)

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