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郑焕东; 宋福英;
不详;
分子束外延; 锑化铟; 外延层; 红外探测器;
机译:MBE生长和InAs / GaAs红外探测器的特性
机译:通过LPE方法在n型InSb <1 1 1>上生长的p型外延层制成的光电二极管的特性
机译:利用Esaki二极管谷特性在生长的MBE $ {rm In} _ {0.53} {rm Ga} _ {0.47} {rm As} $外延层上映射缺陷密度
机译:GaAs(001)上InSb单晶薄膜的MBE生长和电子传输特性
机译:MBE的生长和铅盐半导体的表征,用于中红外探测器和激光应用。
机译:基于中红外探测器的InSb中Cd闭管扩散研究
机译:生长参数对液相外延生长InSb外延层表面形貌和结晶度的影响
机译:mBE生长Inas / Insb纳米结构的光致发光研究。
机译:MBE制备用于异质结生长的InSb基体表面的方法
机译:MBE设备中使用磁控溅射源生长外延层的方法
机译:具有负光电导特性的Ge外延层的生长以及使用该外延层的光电二极管的生长
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