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龚丽; 刘云珍;
长沙理工大学物理与电子科学学院,湖南长沙410004;
ZnO; Ga掺杂; 透明导电薄膜; 生长温度; 磁控溅射法;
机译:掺杂Ga的ZnO透明导电薄膜上生长的ZnO纳米线的表征:掺杂Ga的ZnO薄膜的沉积温度的影响
机译:ZnO缓冲层对在250℃低生长温度下在Al_2O_3(0001)衬底上生长的Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:气溶胶辅助MOCVD法生长In,Ga和Al掺杂的ZnO薄膜的性能:沉积温度,掺杂水平和退火的影响
机译:生长条件对等离子体辅助MBE生长的GA掺杂ZnO膜结构和电性能的影响
机译:Al和Ga掺杂的ZnO的结构和性能。
机译:添加锌和真空退火时间对旋涂低成本1 at%Ga–ZnO薄膜透明导电薄膜性能的影响
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响
机译:ZnO:al掺杂水平和氢生长环境对CIGs太阳能电池性能的影响:预印
机译:结晶Zno系统的透明导电薄膜的成膜方法,结晶Zno系统的透明导电薄膜和电阻膜型触摸屏
机译:热蒸发生长的掺杂GA2O3纳米粉体的制造方法及在室温下可工作的掺杂GA2O3纳米粉体传感器及其制造方法
机译:组合物,掺杂或还原的thio2 / z的用途,提高有机UV防晒剂组合物的有效性和防晒剂配方的UV光谱的方法以及减少uv防晒剂组合物中对有毒化合物的保护的方法及其不利因素硫代和/或zno对组合物中一种或多种组分的影响
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