切伦科夫辐射“双成像法”测量电子束发射度

摘要

利用切伦科夫辐射 ,OTR或荧光靶等光学诊断方法进行发射度测量 ,国内外绝大部分实验是用CCD相机观测电子束打靶产生的光斑 ,变化四极透镜的磁场梯度 ,应用“三梯度法”计算出发射度 .文中提出了一种新的“双成像法”测量方法 ,使切伦科夫辐射光通过一长焦距的消色差薄透镜 ,分别在焦平面和像平面获取图像 .通过图像处理 ,前者可分析出电子束散角分布 ,后者可分析出电子束径向分布 ,从而直接得到均方根发射度 .该方法对束流相空间和电荷密度分布无需假设 ,无需借助“三梯度法” ,较其他常规测量方法具有实验装置更简便、测量精度更高和适用性更广等优点 .文中给出了该测量方法对北京大学DC SC光阴极注入器的发射度测量进行计算机模拟实验的结果和分析 .