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刘昌龙; 吕依颖; 尹立军;
天津大学;
单晶Si; 空位型缺陷; B扩散; 二次离子质谱仪; 透射电子显微镜;
机译:低能电子辐照在p型6H-SiC中产生空位缺陷
机译:H / HE离子混合梁辐照诱导的空位型缺陷研究SIMP钢
机译:高分辨率DLTS研究辐照和离子注入n型硅中与空位有关的缺陷
机译:离子束辐照对4H-SiC中氮空位复合缺陷形成的影响
机译:在高能离子辐照过程中,会产生锗的表面缺陷和整体缺陷,以及锗的表面粗糙。
机译:离子辐照碳化硅中点缺陷簇的原子构型
机译:离子辐照产生的石墨烯空位缺陷的无创透射电子显微镜
机译:级联损伤条件下缺陷演化的速率理论模型:空位型级联残余物的影响及其在缺陷生产表征中的微观结构分析
机译:半导体器件中载流子寿命低的区域-利用外来原子的间隙扩散,然后产生原子扩散到的空位
机译:定量评估硅晶片制造方法中硅晶片中存在的原子空位的浓度的方法及利用硅晶片制造方法制造的硅晶片中的原子空位的浓度的方法
机译:产生因子v缺陷型等离子体的方法及其获得的缺陷型等离子体
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