同位旋效应对N=9同中子素能级间隙的影响

摘要

在单粒子壳模型下,研究了N=8及N=9同中子素的基态性质.通过在伍兹-萨克逊势深中引入同位旋依赖项,考虑了同位旋效应对核平均势的影响.理论计算的均方根半径和自旋宇称值与实验结果整体上符合较好,尤其是N=9同中子素中的2s1/2与1d5/2中子能级间的能级反转得到了较好的解释.计算结果还显示在14B和15C基态中存在单中子晕.