4.16电子伏特!新型硅带隙创世界纪录

摘要

美国东北大学科学家主导的国际科研团队发现了一种新形式的高密度硅,并开发出一种新型可扩展的无催化剂蚀刻技术,能将这种硅制成直径为2~5 nm的超窄硅纳米线。这一成果发表于最新一期《自然·通讯》杂志,有望给半导体行业带来革命性变化,还有望应用于量子计算等领域。十年前,东北大学研究人员在试验中发现了拥有“非常非常微小”线状纳米结构的硅。此后的计算机建模显示,这种材料拥有高压缩结构,尺寸比普通硅小10%~20%,而普通硅在这种压缩状态下通常不稳定。