低阈值N+P双MOS管辐照加固设计和工艺技术

摘要

本文针对一种对管MOSFET产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究.产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm2)、抗电离总剂量100K rad(Si)要求特性,对产品进行了方案设计以及关键设计技术和关键工艺技术分析,同时利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品经过最终流片、封装测试,技术参数达到了国外对应型号FDW2520C的技术特性指标,开关特性还优于FDW2520C,可以替代国外同类型号产品.