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李福宾; 林硕; 李建功; 沈晓明;
广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁,530004;
GaN; 肖特基; 紫外探测器; 电流输运;
机译:GaN肖特基紫外探测器中的持久光电流和表面陷阱
机译:制作 和Ni 的 电流输运 机理 的 分析 / n型GaN 肖特基势垒二极管 通过不同的 模式
机译:非对称肖特基势垒对GaN基金属-半导体-金属紫外探测器的影响
机译:GaN基肖特基势垒紫外探测器的响应度和电特性,在近UV和VUV区域具有透明电极
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:Ni / GaN肖特基结红斑紫外探测器的制备与表征
机译:可调谐高效谐振隧穿GaN / alGaN mQW紫外探测器
机译:高压横向GaN-on-Silicon肖特基二极管,结漏电电流减少
机译:GaN基于GaN的肖特基二极管具有部分还原的阳极
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