高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜的场发射性质研究

摘要

采用热解二茂铁/三聚氰氨混合物方法合成了高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜.二氧化硅基底上生长的碳纳米管具有一致的外部直径约22 nm和一致的长度约40μm;陶瓷基底上生长的碳纳米管具有变化的外部直径为10～90 nm和不同的长度约20～100 μm;合成的纳米管为多壁纯碳管并存在大量的缺陷和石墨断层;高取向碳纳米管薄膜的开启电场为3.9 V/μm,场增强因子为3000;碳纳米管束薄膜的开启电场为2.9 v/μm,场增强因子为5200.