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数模混合电路; 嵌入式存储器; MTP工艺; 增强版; OTP; 半导体; 平台; 微米;
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机译:具有1.8V /0.18μm混合信号CMOS工艺的数模混合温度补偿晶体振荡器
机译:采用0.18微米硅锗化物BiCMOS工艺实现的高速折叠和插值模数转换器的设计
机译:用于调查新外科设备的新型混合方法平台研究方案具有嵌入式共享学习:IBRA-Net乳房病变定位研究
机译:采用0.18美元/微米CMOS工艺制造的CMOS单片有源像素传感器的非电离辐射硬度
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:适用于0.18微米以下深层闪存技术的低缺陷密度工艺
机译:用于0.18微米闪存半导体器件的无空隙层间电介质(ILD0)
机译:具有存储器管理单元(MMU)的RFID标签半导体芯片,仅使一次可编程(OTP)存储器出现多次可编程(MTP)
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