n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器研究

摘要

本文在传统的半导体外延工艺上生长了氮化镓GaN和氧化锌ZnO两种第三代宽禁带半导体薄膜,并在此基础上通过半导体器件工艺制备了n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器,I-V曲线和光响应度测试,器件显示了较低的反偏压漏电流和较强的紫外波段的光响应电流,优秀的性能充分地展示了该异质结探测器在军、民用中有着重要的应用前景.