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裴选; 席善斌; 汪鑫; 王金延; 王晨;
中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄050051;
北京大学 北京100871;
GaN基HEMT; 氢效应; 温度;
机译:SiN钝化的GaN基HEMT器件中的应变效应
机译:AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管在不同温度下的寄生源电阻
机译:多指AlGaN / GaN HEMT器件操作的电热建模,包括热衬底效应
机译:不同温度退火下Ag在GaN基表面等离子体激元发光二极管中的扩散
机译:低维硅MOS和AlGaN / GaN HEMT器件中的应变效应。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:电流应力作用下GaN上HEMT器件的退化现象研究
机译:GaN /衬底热边界电阻对HEmT器件的影响
机译:GaN基HEMT器件
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
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