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陈恒江; 周德金; 何宁业; 汪礼; 陈珍海;
无锡中微爱芯电子有限公司;
复旦大学微电子学院;
清华大学无锡应用技术研究院;
黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心;
高电子迁移率晶体管; 栅驱动; 低压差线性稳压器; 快速响应;
机译:开发10 GHz带传输/接收1芯片集成电路,使用GaN-HEMT开发10GHz带传输-1 / 10或更低,用于雷达设备和无线通信设备的小型化
机译:GaN HEMT用于SiC MOSFET的高速栅极驱动电路
机译:使用两个适用于非绝缘栅GaN FET的寄生电容器的无电容器栅驱动电路
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:具有重掺杂n + -GaN欧姆接触2DEG的自对准栅GaN-HEmT。
机译:应用于DC-DC转换器芯片的快速瞬态响应电路
机译:用于打开车顶的控制电路首先操作内部车顶部分驱动器,然后响应于两个快速连续的操作脉冲将外部车顶部分驱动器打开到预定的打开位置
机译:用于执行快速响应的驱动补偿的液晶显示装置的控制电路
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