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尤晓杰; 王银海; 葛华; 韩旭;
南京国盛电子有限公司 南京211100;
桶式外延炉; 基座; 波浪形貌; 纵向电阻率分布; 掺杂浓度;
机译:高浓度锗和硼掺杂与低温退火相结合的金属/ p型硅界面的超低接触电阻率
机译:APS -APS 3月会议2017 - 事件 - 由纵向电阻率和负磁阻透露的外延CO2FESI薄膜中的旋转激发间隙
机译:硅氮共掺杂高电阻率卤化物气相同质外延β-Ga_2O_3薄膜
机译:高浓度硼掺杂硼三氯化气体在硅外延生长中
机译:氢/硅(001)上低温硅外延和硅(111)-7x7上磷化氢吸附的扫描隧道显微镜研究。
机译:集成低电容二极管的掺砷高电阻率硅外延层
机译:通过在高电阻率的表面上更换原子的新方法生长的外延碳化硅膜(111)取向硅
机译:高电阻率硅发光现象的研究及低电阻率硅隧道电特性研究年度进展报告,1968年9月20日 - 1969年9月19日
机译:单晶硅的制造方法,单晶硅制造装置以及单晶硅的电阻率分布的计算方法
机译:双极晶体管包括用于高频操作的硅层,第一类型的硅外延层,硅锗外延层和第二类型的硅外延层
机译:补偿硅制多晶硅锭中掺杂剂分布和电阻率的测定方法
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