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花正勇; 马艺珂; 殷亚楠; 周昕杰; 陈瑶; 姚进; 周晓彬;
中国电子科技集团公司第五十八研究所;
江苏无锡214072;
FD-SOI; 仿真; 辐射; 单粒子; LET; 偏置;
机译:完整的基于表面电势的全耗尽绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管模型,用于电路仿真
机译:利用寄生双极结晶体管效应开发基于高性能全耗尽型绝缘体上硅的扩展栅场效应晶体管
机译:短沟道超薄全耗尽绝缘体上硅晶体管的超耦合效应
机译:基于深亚微米全耗尽绝缘体上硅技术的n沟道晶体管单事件效应的3D TCAD仿真
机译:规模化和部分耗尽的绝缘体上硅场效应晶体管中噪声机制的仿真。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:SOI晶体管部分耗尽的流体动力学仿真中的负微分电阻
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应
机译:具有垂直堆叠的双面全耗尽型绝缘体上硅晶体管的单片三维高层集成电路的制造方法
机译:确定“绝缘体上硅”结构的两门对称全耗尽晶体管的二维势温确定方法;使用工作区掺杂的高斯垂直分布图
机译:包含全耗尽型绝缘体上硅晶体管的传感放大器,用于闪存系统
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