短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究

摘要

针对MOSFET散粒噪声难以测量的特点,提出了一种低温散粒噪声测试方法.在屏蔽环境下,将被测器件置于低温装置内,有效抑制了外界电磁波和热噪声的干扰,采用背景噪声足够低的放大器以及偏置器、适配器等,建立低温散粒噪声测试系统.应用本系统对短沟道MOSFET器件进行噪声测试,分析该器件散粒噪声的特性.