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李劫; 章安辉; 何秀坤; 曹全喜; 秦涛;
西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071;
中国电子科技集团公司第46研究所质量检验中心,天津,300192;
KOH腐蚀; 微管; SiC; 计数;
机译:偏振光学显微镜,光散射层析成像和热显微镜研究6H-SiC单晶中混合多型体的缺陷和热导率
机译:6H n碳化硅(SiC)单晶的熔融KOH蚀刻中的微管和缺陷研究
机译:单晶3C-SiC中黑点缺陷肿胀的显微镜起源
机译:同步X射线地形研究对物理蒸汽传输中缺陷微观结构的演变的研究生长了4H-SiC单晶
机译:微管和微管相关蛋白的低温电子显微镜研究:微管蛋白乙酰化,工程化的驱动蛋白,酵母微管和PRC1。
机译:4H-SiC单晶在微纳尺度下的力学行为研究
机译:通过透射电子显微镜评估与驴精子(Equus asinus)的微管缺陷相关的不育症通过透射电子显微镜评估与驴(Equus asinus)精子中的微管缺陷相关的不育症
机译:6H-sIC单晶缺陷的白光束同步加速器地形研究
机译:制造SiC晶体以减少基体和SiC晶体,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶体基体和电子器件中的微管传播的方法以及制造SiC球体的方法
机译:SiC晶体的制造方法和SiC晶体,以使微管从衬底延续到衬底,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶衬底
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
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