CCD表面暗电流特性研究

雷仁方; 王艳; 高建威; 钟玉杰

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CCD表面暗电流特性研究

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针对电荷耦合器件表面暗电流的温度特性和辐照特性进行了研究.研究结果表明,在不同温度下,表面暗电流不仅是CCD总暗电流的主要来源,且是CCD暗电流非均匀性的主要影响因素;CCD栅介质的硅-二氧化硅界面态密度随辐照剂量的增加而增加,导致CCD表面暗电流显著增加,是CCD经辐照后暗电流变大的主要影响因素.

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来源
《电子科技》 |2014年第5期|26-2832|共4页
作者
雷仁方; 王艳; 高建威; 钟玉杰;
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作者单位

重庆光电技术研究所第一研究室,重庆400060;

重庆光电技术研究所第一研究室,重庆400060;

重庆光电技术研究所第一研究室,重庆400060;

重庆光电技术研究所第一研究室,重庆400060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电荷耦合器件;
关键词
CCD; 表面暗电流; 界面态密度; 温度; 辐照;

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