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JOE GRIMM;
California Eastern Laboratories;
机译:建议采用DP4T RF CMOS开关的SPDT开关和DPDT开关的漏电流和开关速度
机译:UltraCMOS™工艺有助于生产高集成度的射频集成电路,这对在射频开关中使用砷化镓提出了挑战
机译:液压控制阀的最新趋势:电磁开关阀-带监控开关的电磁开关阀的最新趋势
机译:具有集成34dBm T / R开关和ESD保护的2.5GHz 32nm 0.35mm 2 sup> 3.5dB NF -5dBm P 1dB inf>全差分CMOS推挽LNA
机译:采用0.18um CMOS技术的开关电容器和开关电流流水线模数转换器的设计。
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:使用廉价CMOS模拟开关的相位阀型型入场测量仪的原型
机译:高增益Gaas光电导半导体开关:开关寿命长
机译:在多层结构中采用体开关和基片连接的二极管开关的高功率CMOS天线开关的系统,方法和装置
机译:无线通信中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)射频(RF)天线开关具有接收器开关,该接收器开关的晶体管包括带主体基板的第一晶体管
机译:用于BICMOS或双极元件的集成开关-包括布置在半导体衬底中的开关,一个开关被填充有氧化硅绝缘材料的沟槽围绕
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