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CMOS技术; ESD; MOS晶体管; 静电放电;
机译:采用0.18μmCMOS技术的40 Gb / s放大器和ESD保护电路
机译:在0.18微米CMOS工艺中研究专用于3.3 V RF应用(2 GHz)的不同ESD保护策略(转载自《电气过应力/静电放电研讨会论文集》,2000年)
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS技术的模拟I / O单元的ESD失效机制
机译:防静电电路仿真,用于防止ESD故障 - 以0.18μmCMOS技术应用于产品的产品
机译:EEG信号在EMD域S. S. Shafiul Alam,S中的非线性动力学使用非线性动力学。 M. Shafiul Alam,Aurangozeb和Syed Tarekshahriar摘要 - 基于EMD Chaos的方法,提出了对应于健康人的EEG信号,癫痫发作期间的癫痫患者和Seizureattacks。脑电图(EEG)首先被凭经上分解为内在模式功能(IMF)。这些IMF的非线性动力学在最大范围的指数(LLE)和相关尺寸(CD)方面是量化的。本域中的混沌分析应用于与健康人相对应的大型脑电图(Asepileptic患者)(两者都有癫痫发作)。因此,所获得的LLE和CD表展的价值可以从EMD领域的其他EEG信号中清晰地区分脑电图的表达展示。本拟议的方法可以帮助研究人员以预测癫痫发作的癫痫发作技术。索引术语 - 脑电图(EEG),仿真态分解(EMD),最大的Lyapunov指数(LLE),相关维度(CD),癫痫发作。作者与电气电子和电子工程公司,孟加拉国工程和技术大学,孟加拉国达卡 - 1000(电子邮件:imamul@eee.buet.ac.bd)pdf cite:s. m. shafiul Alam,s。 M. Shafiul Alam,Aurangozeb和Syed Tarek Shahriar,“EEG信号歧视在EMD领域的非线性动态,”计算机电气工程卷国际杂志。 4,不。 3,pp。326-330,2012,上一篇论文对情绪的看法,使用建设性的学习言论下一篇论文物理层障碍意识到OVPN连接选择机制版权所有©2008-2013。国际计算机科学与信息技术协会出版社(IACSIT Press)
机译:适用于林产品研究的实验力学技术。林产品研究会年会实验力学全体会议论文集。 1994年6月29日在缅因州波特兰市举行
机译:具有外部导电材料的电话中的ESD预防装置,尤其是由于PCB上的电路完全受损而特别考虑的ESD,因此将ESD应用于外部导电材料
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