纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法新进展

摘要

回顾了纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法的新进展.首先,简单地介绍了5种传统的NBTI测试方法:准静态直流完整Id-Vg测试法、在线测试法、单点Id测试法、延伸厶测试法和超快脉冲测试法,并分别分析了他们各自的优缺点;然后,阐述了由于pMOSFET尺寸缩小到纳米尺度后带来的涨落效应对传统的NBTI测试方法的挑战;最后,详细地介绍了纳米pMOSFE上的3种考虑涨落的NBTI测试新方法,即随机电报噪声、时间相关缺陷谱和器件内部波动.