带有台阶电极结构和TiN阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管

摘要

本文描述了一种具有台阶电极结构和ＴｉＮ扩散阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管，将这种用于高频大功率器件的结构与传统的平面结构进行了比较讨论，这种新式结构可使微波器件获得更好的性能，由于大功率器件带有梁式引线金属化系统，Ａｕ－Ｓｉ反应及局部铂硅化合物的生长是其主要的失效机理，为了减少上述缺陷，Ｔｉ层必须加厚。同时，进一步讨论了ＴｉＮ在梁式引线金属化系统中的应用，高温长期工作实验结果证明，将台阶式电极结构