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SOI MOSFET器件的热载流子退化机理

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摘要

介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理.研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁.虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能、低电压ULSI SOI电路的发展.

著录项

来源
《电子产品可靠性与环境试验》 |2006年第4期|9-13|共5页
作者
章晓文; 恩云飞; 赵文彬; 李恒;
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作者单位

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035;

中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035;

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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
绝缘体上硅; 热载流子注入效应; 失效机理; 可靠性;

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