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黄延荣;
无;
化合物半导体; 晶体; 性能; SiC;
机译:Zr(IV),Hf(IV)和Th(IV)茂金属配合物反应性的比较研究:Thor毕竟不是IV族金属
机译:基于IV-V族过渡金属氮化物的复合材料烧结过程中的压实和结构形成。 VI。 Me〜(IV-V)N-Cr和Me〜(IV-V)N复合材料的烧结特性
机译:IV-V族和V-IV-III-VI族单层半导体:结构稳定性,电子结构,光学性质和光催化作用
机译:MM波窗频率的高功率运转模式中IV-IV化合物半导体基于IV-IV化合物半导体的全尺度非线性分析
机译:I.锂-铍-镁-硼-铝体系中主族碳氮材料的合成。二。 III-IV族氢化物的合成与应用。
机译:IV-IV和III-V族二元化合物二维纳米片中通过原子修饰修饰高级光催化系统的设计
机译:面试基于Rabbi会议Fishel Szlajen博士,“人工智能和跨纪主义:在IV的普罗斯的生物弟弟的IV族族族的IV族族(技术)
机译:涉及IV,V和VI族元素的非晶化合物半导体的光电导性。
机译:铁磁性IV族半导体,铁磁性III-V族化合物半导体或铁磁性II-VI族化合物半导体的调整方法及铁磁性质
机译:具有成核层的半导体结构,该成核层用于防止在IV-IV族材料中的III-V族材料上或IV族上的表面电荷
机译:基于铁磁IV基团的半导体,基于铁磁III-V基团的化合物半导体或基于铁磁II-IV基团的化合物半导体及其调整铁磁特性的方法
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