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一凡;
无;
硅; 表面窗口; 纳米; 锗; 生长;
机译:在超薄SiO2膜中形成的Si(111)表面窗口上选择性生长纳米级Ga点
机译:通过对具有不同Ge /(Si + Ge)组成的Ag / SiGe(111)进行退火,在外延Ag(111)上隔离SiGe超薄层的形成和表面平坦化
机译:Si(111)7x7上CrSi2纳米岛的形成以及Si(111)/ CrSi2纳米微晶/ Si异质结构中硅覆盖层的外延生长
机译:对SI(111)上直接生长的外延Ge {sub}(1-x)c {sub} x(111)层的增长技术综合研究及直接生长的Si(111)进行MOS应用
机译:气源分子束外延生长在Si(111)上的稀氮化物III-V纳米线
机译:在Ge(111)-c(2×8)和Ag / Ge(111)-(√3×√3)表面上生长的含镍纳米岛
机译:在si(111)上生长的邻近si(111)表面和ag薄膜的RHEED研究
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:用于III-N外延的Si(100)晶片上具有Si(111)平面的纳米结构和纳米特征
机译:用于III-N表位的Si(100)晶片上具有Si(111)平面的纳米结构和纳米特征
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