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夏逸骁; 陶雪慧;
苏州大学轨道交通学院 江苏苏州215000;
碳化硅MOSFET; 开关模型; 电压电流变化率; 杂散参数;
机译:碳化硅JFET的功能模型及其在分析栅极电阻的开关瞬态和冲击,米勒效应和寄生电感中的用途
机译:抑制并联碳化硅MOSFET的瞬态电流不平衡的芯片分类
机译:低温条件下氮化镓和碳化硅MOSFET作为电力开关应用的比较研究
机译:碳化硅MOSFET开关的瞬态分析
机译:用于功率开关应用的碳化硅高性能UMOSFET的建模,设计和制造
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:温度和开关速率对碳化硅肖特基势垒二极管和MOSFET动态特性的影响
机译:用于1兆瓦功率mOsFET开关的spICE宏模型。
机译:制造用作开关的n型垂直MOSFET的碳化硅半导体结构的方法,包括在形成掩模层之后相对于碳化硅层的表面以指定角度进行离子注入。
机译:碳化硅MOSFET器件的蜂窝结构,碳化硅MOSFET装置
机译:碳化硅MOSFET的制造方法及碳化硅MOSFET
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