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MESFET器件; 雷达应用; S波段; GaN; 最大化; 高功率密度; 额定功率; GaAs;
机译:S波段170W / 70%部分匹配GaN HEMT高效高输出放大器通过单谐波处理实现GaN-On-Si器件的高效率
机译:S波段170W / 70%部分匹配的GaN HEMT高效大功率放大器:通过谐波处理实现GaN-on-Si器件的高效率
机译:用于S波段雷达的F类GaN HEMT功率放大器的设计与实现
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在掺Eu(RE)的GaN中利用天然氧以实现光电子应用中的器件兼容性
机译:用于S波段雷达应用的HEMT GaN功率放大器的脉冲间稳定性分析
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:能够通过提高光提取效率而使发光效率最大化的氮化物半导体发光器件
机译:配备有用于机械工具,卡盘,共同旋转的科纳锐锐刀或类似物的固定锥度构件的柜或箱。
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
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