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Wolfgang Frank; Holger H ü sken;
英飞凌科技;
二极管; 反并联; IGBT; 设计; 正向压降; 三角关系; 散热能力; 反向恢复;
机译:针对硬开关应用的IGBT模块中反并联二极管的优化
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:单片集成1200V SiC晶体管和反并联二极管中的隔离环以提高阻断电压的优化设计
机译:关于在一个封装中组合IGBT和二极管的反并联二极管的设计考虑
机译:可变寿命P-I-N二极管的物理模型和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的二维效应
机译:设计构造和利用发光二极管和发光二极管耦合光纤阵列进行多站点脑光传输的过程
机译:一种计算IGBT和反平行二极管功率损耗的通用仿真方法
机译:平面并联二极管的交替内爆模型。
机译:使用太阳能电池发电的装置具有太阳能电池串的串联电路,其中,太阳能电池串的每串均由被设计为高效肖特基二极管的旁路二极管进行反并联开关。
机译:具有单片集成反并联二极管的绝缘栅双极晶体管,在正面具有由半导体阱形成的反并联二极管的互补电极
机译:集成反并联二极管的IGBT结构及其制造方法
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