低饱和磁化强度、小线宽石榴石铁氧体单晶材料的可控制备

摘要

利用助熔剂法制备了不同In、V掺杂浓度的BiCaInV铁氧体单晶材料.通过X射线荧光光谱分析获得了不同掺杂离子的浓度,发现随着V离子浓度的增加,In离子的掺杂浓度明显减小.借助透射电子显微镜测试揭示了In离子对BiCaInV的晶胞起着主导作用,且随着In离子掺杂浓度的减小,BiCaInV单晶的晶面间距逐渐减小.进一步通过振动样品磁强计表征了单晶样品的磁学性能,结果表明随着In离子掺杂浓度的减小,饱和磁化强度、居里温度均逐渐增加,共振线宽逐渐减小.与其他BiCaInV单晶相比,该单晶不仅具有较低的饱和磁化强度和温度系数,还拥有更小的共振线宽(<80 A/m),线宽最小值可达42.22 A/m.因此实现了低饱和磁化强度、超小线宽BiCaInV石榴石铁氧体单晶材料的可控制备,为BiCaInV单晶在低频微波器件中的应用开拓了更广阔的前景.